SI9407BDY

SI9407BDY. C (pol.): 600pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 10nA. IDss (min): 1nA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.2W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.