SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4532ADY-T1-E3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns/8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23/21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.13W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.