Transistores

C (pol.): 750pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 22.8A. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.6A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 08N50C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 560V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 215pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento com classificação dv/dt. Id(im): 37A. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: SPD09N05. Pd (dissipação de energia, máx.): 24W. On-resistência Rds On: 0.093 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 790pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 32 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 112A. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: 28N03L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.6V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 85m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 785pF. Custo): 33pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(im): 18A. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 06N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 30pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 750 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Data de produção: 2015/05. Id(im): 14.6A. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 07N60S5. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 120ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1100pF. Custo): 46pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: 08N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 104W. On-resistência Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32.5A. DI (T=100°C): 6.2A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO220-3. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Função: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 10N10. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 426pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1200pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 11N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1460pF. Custo): 610pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 650ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 22A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: 11N60S5. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 130 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 11A. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Função: ID pulse 33A. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 51A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: SPP17N80C2. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 2320pF. Custo): 1250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 51A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 17N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 77 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 230pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento com classificação dv/dt. Proteção GS: diodo . Id(im): 74.8A. DI (T=100°C): 13.2A. DI (T=25°C): 18.7A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 18P06P. Pd (dissipação de energia, máx.): 81W. On-resistência Rds On: 0.102 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 2400pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 62.1A. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 20N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 67 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): P-TO220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3000pF. Custo): 1170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 40A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 20N60S5. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 120ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 4.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N06L11. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 68 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 158W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2320pF. Custo): 1250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 51A. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 17N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 77 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N60C3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.9V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 208W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 20A. Potência: 208W. On-resistência Rds On: 0.19 Ohms. Carcaça: PG-TO247 HV. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V