SPD09N05

SPD09N05. C (pol.): 215pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento com classificação dv/dt. Id(im): 37A. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: SPD09N05. Pd (dissipação de energia, máx.): 24W. On-resistência Rds On: 0.093 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.