Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPP20N60S5

SPP20N60S5
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1 - 1 7.02€ 8.63€
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SPP20N60S5. C (pol.): 3000pF. Custo): 1170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 40A. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 20N60S5. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 120ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 4.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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C (pol.): 2400pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 62.1A. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 20N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 67 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): P-TO220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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