Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V - SPP20N60C3

Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V - SPP20N60C3. Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): P-TO220-3-1. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 2400pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 62.1A. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 20N60C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 67 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 13:25.