SPP20N60C3

SPP20N60C3. C (pol.): 2400pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 62.1A. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 20N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 67 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): P-TO220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.