SPU04N60C3
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.25€ | 5.23€ |
| 5 - 9 | 4.04€ | 4.97€ |
| 10 - 24 | 3.83€ | 4.71€ |
| 25 - 49 | 3.61€ | 4.44€ |
| 50 - 99 | 3.53€ | 4.34€ |
| 100+ | 3.32€ | 4.08€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.25€ | 5.23€ |
| 5 - 9 | 4.04€ | 4.97€ |
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SPU04N60C3. C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.
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C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 85m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 85m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ....
C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção GS: NINCS
C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31W. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção GS: NINCS
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