Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPA08N80C3

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SPA08N80C3. C (pol.): 1100pF. Custo): 46pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: 08N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 09:25.

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C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 41W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 1580pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data de produção: 201432. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 59W. On-resistência Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Proteção GS: NINCS
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