SPP04N60C3XKSA1

SPP04N60C3XKSA1. C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(im): 13.5A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.