SPD28N03L

SPD28N03L. C (pol.): 790pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 32 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 112A. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: 28N03L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.6V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.