Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPP11N60C3

SPP11N60C3
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SPP11N60C3. C (pol.): 1200pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 11N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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C (pol.): 1148pF. Custo): 671pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 33A. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 119 ns. Td(ligado): 34 ns. Tecnologia: SuperFET MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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