SPP06N80C3

SPP06N80C3. C (pol.): 785pF. Custo): 33pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(im): 18A. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 06N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.