Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPD08N50C3

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SPD08N50C3. C (pol.): 750pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 22.8A. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.6A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 08N50C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 560V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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