Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STD7NM60N

STD7NM60N
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STD7NM60N. Custo): 24.6pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 213 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 7NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.84 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. C (pol.): 363pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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C (pol.): 470pF. Custo): 13pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 230 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: para reguladores de tensão de modo de comutação. Id(im): 28A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 10uA. Marcação na caixa: TK7P60W. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: MOSFET (DTMOSIV). Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.7V. Vgs(th) mín.: 2.7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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