Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPP07N60S5

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SPP07N60S5. C (pol.): 30pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 750 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Data de produção: 2015/05. Id(im): 14.6A. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 07N60S5. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 120ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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