IRFBF20S

IRFBF20S. C (pol.): 490pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 6.8A. DI (T=100°C): 1.1A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 54W. On-resistência Rds On: 8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 56 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-262 ( I2-PAK ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-262. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.