SPP18P06P

SPP18P06P. C (pol.): 230pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento com classificação dv/dt. Proteção GS: diodo . Id(im): 74.8A. DI (T=100°C): 13.2A. DI (T=25°C): 18.7A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 18P06P. Pd (dissipação de energia, máx.): 81W. On-resistência Rds On: 0.102 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.