Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPP08N80C3

SPP08N80C3
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SPP08N80C3. C (pol.): 1100pF. Custo): 46pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Id(im): 24A. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: 08N60C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 104W. On-resistência Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. I...
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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 11A. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Função: ID pulse 33A. Quantidade por caixa: 1
SPP11N80C3
Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 11A. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Função: ID pulse 33A. Quantidade por caixa: 1
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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Id...
FQP9N90C
Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 205W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 900V. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 45nC, Crss baixo 14pF
FQP9N90C
Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 205W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 900V. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 45nC, Crss baixo 14pF
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