Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQP5N60C

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FQP5N60C. C (pol.): 515pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 18A. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo de potência em modo de aprimoramento . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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