Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BUZ90. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 4.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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C (pol.): 1300pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 25A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 1300pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 25A. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2.8A. DI...
BUZ90A
Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
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Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1
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