Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQP9N90C

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FQP9N90C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 205W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 900V. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 45nC, Crss baixo 14pF. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.

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C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim
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