Transistores

C (pol.): 510pF. Custo): 47pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 4A. Marcação na caixa: D4NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 1.76 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 545pF. Custo): 45pF. Tipo de canal: N. Número de canais: 1. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 17.6A. DI (T=100°C): 2.77A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 5uA. Marcação na caixa: 5N52K3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-3. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 525V. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: Aplicações de comutação, carga de porta minimizada, IDSS baixo. Spec info: Enhancement type. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 529pF. Custo): 71pF. Tipo de canal: N. Número de canais: 1. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 17.6A. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 5N52U. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 1.25 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23.1 ns. Td(ligado): 11.4 ns. Tecnologia: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-3. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 525V. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: Aplicações de comutação, carga de porta minimizada. Spec info: Enhancement type. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Custo): 24.6pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 213 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 7NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.84 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. C (pol.): 363pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS POWER MOSFET. Id(im): 212A. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 53A. Pd (dissipação de energia, máx.): 460W. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Isolamento elétrico: 2500V (AC-RMS). Td(ligado): 46 ns. Tecnologia: PowerMesh II MOSFET. Tf (tipo): 38 ns. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). Tr: 70 ns. Temperatura operacional: -65...150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: ±30V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim

C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 870pF. Custo): 50pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 13N80K5. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

C (pol.): 790pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 52A. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1000pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 52A. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 10A. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220FP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5NK100Z. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1154pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

C (pol.): 452pF. Custo): 30pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 324 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100mA. IDss (min): 1mA. Marcação na caixa: 9NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.63 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52.5 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 26A. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 610pF. Custo): 65pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: dimmer de luz, relé estático, driver de motor. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 100A. Ic(T=100°C): 7A. Marcação na caixa: GF10NB60SD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 1.2 ns. Td(ligado): 0.7 ns. Tecnologia: PowerMESH IGBT. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Spec info: Baixa queda de tensão (VCE(sat)). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 380pF. Custo): 46pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Função: Controles de motor de alta frequência. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 30A. Ic(T=100°C): 10A. Marcação na caixa: GP10NC60KD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 17 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: Tempo de resistência a curto-circuito 10us. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2200pF. Custo): 225pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 44 ns. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 150A. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: GW20NC60VD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 31 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.75V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.75V. Função: inversores de alta frequência, UPS. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2510pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Data de produção: 201509. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 135A. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: GW30NC120HD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 220W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 275 ns. Td(ligado): 29 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.75V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.75V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.75V. Função: capacidade de alta corrente, alta impedância de entrada. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 4550pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Operação de alta frequência até 50KHz. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Marcação na caixa: GW40NC60V. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 43 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.75V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.75V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1350pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET de potência rápida. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: H8NA60FI. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: ‘Modo de aprimoramento’. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.75V. Vgs(th) mín.: 2.25V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: Viso 4000V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 150pF. Custo): 30pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 4A. DI (T=100°C): 630mA. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 4NF20L. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.3W. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 10.4 ns. Td(ligado): 2 ns. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de potência de comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 4. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: N83003. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 1000. Spec info: transistor complementar (par) STN93003. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 215pF. Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Transistor de potência NPN de comutação rápida de baixa tensão. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.32V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 1000. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condicionamento: rolo. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 0.5A. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: N9260. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 150 ns. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: PNP. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 7V. Função: comutação rápida de alta tensão, transistor de potência PNP. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de potência de comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 4. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: N93003. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 1000. Spec info: transistor complementar (par) STN83003. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 5955pF. Custo): 244pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 38 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 400A. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: 100N8F6. Pd (dissipação de energia, máx.): 176W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 103 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: STripFET™ F6 technology. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 80V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS