STH8NA60FI

STH8NA60FI. C (pol.): 1350pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET de potência rápida. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: H8NA60FI. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: ‘Modo de aprimoramento’. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.75V. Vgs(th) mín.: 2.25V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: Viso 4000V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.