STF9NM60N

STF9NM60N. C (pol.): 452pF. Custo): 30pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 324 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100mA. IDss (min): 1mA. Marcação na caixa: 9NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.63 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52.5 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 26A. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.