STD5N52K3

STD5N52K3. C (pol.): 545pF. Custo): 45pF. Tipo de canal: N. Número de canais: 1. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 17.6A. DI (T=100°C): 2.77A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 5uA. Marcação na caixa: 5N52K3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-3. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 525V. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: Aplicações de comutação, carga de porta minimizada, IDSS baixo. Spec info: Enhancement type. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.