STN851

STN851. Custo): 215pF. Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Transistor de potência NPN de comutação rápida de baixa tensão. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.32V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 1000. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.