Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STF18NM60N

STF18NM60N
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STF18NM60N. C (pol.): 1000pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 52A. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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C (pol.): 1500pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P20NM60FP. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: MDmesh™ MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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