STP100N8F6

STP100N8F6. C (pol.): 5955pF. Custo): 244pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 38 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 400A. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 100uA. Marcação na caixa: 100N8F6. Pd (dissipação de energia, máx.): 176W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 103 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: STripFET™ F6 technology. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 80V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.