Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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RSQ035P03

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RSQ035P03. C (pol.): 780pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC-DC. Id(im): 14A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: TM. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.25W. On-resistência Rds On: 65m Ohms. RoHS: sim. Passo: 2.9x1.6mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): TSMT6. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 6. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 20:25.

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FDC365P

FDC365P

C (pol.): 530pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento:...
FDC365P
C (pol.): 530pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD 365P. Marcação na caixa: 365 P. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 35V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Inversores, fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 530pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD 365P. Marcação na caixa: 365 P. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 35V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Inversores, fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS
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