Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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RFD3055LESM

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RFD3055LESM. C (pol.): 850pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: diodo . DI (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 12A. Marcação na caixa: F3055L. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. Quantidade por caixa: 1. Função: controle de nível lógico, proteção ESD. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 12:25.

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