PSMN015-100P

PSMN015-100P. C (pol.): 4900pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 240A. DI (T=100°C): 60.8A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 0.05uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 12m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 12:25.