RJH30H2DPK-M0

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 1	13.16€	16.19€
2 - 2	12.50€	15.38€
3 - 4	11.84€	14.56€
5 - 9	11.19€	13.76€
10 - 14	10.92€	13.43€
15 - 19	10.66€	13.11€
20 - 48	10.26€	12.62€

Quantidade	U.P
1 - 1	13.16€	16.19€
2 - 2	12.50€	15.38€
3 - 4	11.84€	14.56€
5 - 9	11.19€	13.76€
10 - 14	10.92€	13.43€
15 - 19	10.66€	13.11€
20 - 48	10.26€	12.62€

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Quantidade em estoque : 48

Conjunto de 1

RJH30H2DPK-M0. C (pol.): 1200pF. Custo): 80pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Compatibilidade: Samsung PS42C450B1WXXU. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 250A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.06 ns. Td(ligado): 0.02 ns. Tecnologia: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PSG. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Spec info: trr 0.06us. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 12:25.

Documentação técnica