PSMN013-100BS-118

PSMN013-100BS-118. C (pol.): 3195pF. Custo): 221pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: comutação padrão. Id(im): 272A. DI (T=100°C): 47A. DI (T=25°C): 68A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.06uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. On-resistência Rds On: 13.9m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52.5 ns. Td(ligado): 20.7 ns. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK (SOT404). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 12:25.