RFP12N10L

RFP12N10L. C (pol.): 900pF. Custo): 325pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F12N10L. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 15 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+155°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 12:25.