SI4410BDY-E3

SI4410BDY-E3. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4410BDY. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 19:25.