SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P7. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 27 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 595pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 19:25.