SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4431BDY-T1-E3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 19:25.