Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

SP8M3

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SP8M3. Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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Tipo de canal: N-P. Marcação na caixa: F7319. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
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Tipo de canal: N-P. Marcação na caixa: F7319. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&P-HEXFET Power MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
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Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)
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Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)
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