SKW20N60

SKW20N60. C (pol.): 1100pF. Custo): 107pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Função: S-IGBT rápido em tecnologia NPT. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 80A. Ic(T=100°C): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 179W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 445 ns. Td(ligado): 36ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Spec info: K20N60. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 12:25.