Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPB80N04S2-H4

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SPB80N04S2-H4. C (pol.): 4480pF. Custo): 1580pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 195 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ‘Modo de aprimoramento’. Id(im): 320A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N04H4. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 3.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 12:25.

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C (pol.): 3850pF. Custo): 650pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 120N4F6. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: STripFET™ VI Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: Aplicações de comutação, Automotivo. Proteção GS: NINCS
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