Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

FDD6635

FDD6635
[TITLE]
Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 4 1.71€ 2.10€
5 - 9 1.63€ 2.00€
10 - 24 1.54€ 1.89€
25 - 49 1.46€ 1.80€
50 - 82 1.42€ 1.75€
Quantidade U.P
1 - 4 1.71€ 2.10€
5 - 9 1.63€ 2.00€
10 - 24 1.54€ 1.89€
25 - 49 1.46€ 1.80€
50 - 82 1.42€ 1.75€
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Quantidade em estoque : 82
Conjunto de 1

FDD6635. C (pol.): 1400pF. Custo): 317pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 59A. Marcação na caixa: FDD6635. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.

Informações e ajuda técnica

Pelo telefone :

Pagamento e entrega

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Assine o boletim informativo

Concordo em receber e-mails e entendo que posso cancelar a inscrição a qualquer momento após o registro.

Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.