Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.10€ |
5 - 9 | 1.63€ | 2.00€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.89€ |
25 - 49 | 1.46€ | 1.80€ |
50 - 82 | 1.42€ | 1.75€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.10€ |
5 - 9 | 1.63€ | 2.00€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.89€ |
25 - 49 | 1.46€ | 1.80€ |
50 - 82 | 1.42€ | 1.75€ |
FDD6635. C (pol.): 1400pF. Custo): 317pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 59A. Marcação na caixa: FDD6635. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.
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