STP80PF55

STP80PF55. C (pol.): 5500pF. Custo): 1130pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 80A. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: STripFETTM II Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.