AO3407A

AO3407A. C (pol.): 520pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Id(im): 25A. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 4.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 19:25.