SKM100GAR123D

SKM100GAR123D. C (pol.): 5000pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Função: IGBT de alta potência. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 150A. Ic(T=100°C): 90A. Número de terminais: 7. RoHS: sim. Td(desligado): 450 ns. Td(ligado): 30 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 12:25.