Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SPA11N65C3

SPA11N65C3
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SPA11N65C3. C (pol.): 1200pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: caixa isolada (2500 VCA, 1 min). Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 11N65C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 12:25.

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C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Pd (dissipação de energia, máx.): 41W. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 1000pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 52A. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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