SSS7N60A

SSS7N60A. C (pol.): 1150pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 415 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 28A. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.