STP26NM60N

STP26NM60N. C (pol.): 1800pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 80A. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 26NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.135 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.