STP120NF10

STP120NF10. C (pol.): 5200pF. Custo): 785pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 152 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 440A. DI (T=100°C): 77A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P120NF10. Pd (dissipação de energia, máx.): 312W. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 132 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.