Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

STP200N4F3

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STP200N4F3. C (pol.): 5100pF. Custo): 1270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 480A. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 200N4F3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: comutação, aplicações automotivas. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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