STP11NM60

STP11NM60. C (pol.): 1000pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.